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- Envoi jour même via UPS
- Gestionnaire de compte dédié
- Support technique et configuration
Description du produit
Samsung MZ-V7S1T0, 1000 Go, M.2, 3500 Mo/s
Environmental Parameters | |
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Max Operating Temperature: | 70 °C |
Min Operating Temperature: | 0 °C |
Shock Tolerance (operating): | 1500 g @ 0.5 ms half-sine |
Expansion & Connectivity | |
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Compatible Bay: | M.2 2280 |
Interfaces: | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
General | |
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Buffer Size: | 1 GB |
Capacity: | 1 TB |
Depth: | 80.15 mm |
Device Type: | Solid state drive - internal |
Encryption Algorithm: | 256-bit AES |
Features: | TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T. |
Form Factor: | M.2 2280 |
Hardware Encryption: | Yes |
Height: | 2.38 mm |
Interface: | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
NAND Flash Memory Type: | Triple-level cell (TLC) |
Weight: | 8 g |
Width: | 22.15 mm |
Miscellaneous | |
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Compliant Standards: | IEEE 1667 |
Performance | |
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4KB Random Read: | 19000 IOPS |
4KB Random Write: | 60000 IOPS |
Internal Data Rate: | 3500 MBps (read) / 3300 MBps (write) |
Maximum 4KB Random Read: | 600000 IOPS |
Maximum 4KB Random Write: | 550000 IOPS |
SSD Endurance: | 600 TB |
Power | |
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Power Consumption: | 6 Watt (average) ¦ 9 Watt (maximum) ¦ 30 mW (idle max) |
Reliability | |
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MTBF: | 1,500,000 hours |
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